casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AOK60N30L
Número de pieza del fabricante | AOK60N30L |
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Número de parte futuro | FT-AOK60N30L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AOK60N30L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 300V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5330pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 658W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOK60N30L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AOK60N30L-FT |
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A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
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