casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AO6409_DELTA
Número de pieza del fabricante | AO6409_DELTA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-AO6409_DELTA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AO6409_DELTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6409_DELTA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AO6409_DELTA-FT |
2SK4066-E
ON Semiconductor
2SK4093TZ-E
Renesas Electronics America
2SK4098FS
ON Semiconductor
2SK4144(01)-S6-AZ
Renesas Electronics America
2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor
3SK318YB-TL-E
Renesas Electronics America
3SK324UG-TL-E
Renesas Electronics America
5HN01C-TB-E
ON Semiconductor
5HN01C-TB-EX
ON Semiconductor
5HN01C-TB-H
ON Semiconductor
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel