casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 3SK318YB-TL-E
Número de pieza del fabricante | 3SK318YB-TL-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-3SK318YB-TL-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
3SK318YB-TL-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
3SK318YB-TL-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 3SK318YB-TL-E-FT |
2N6766
Microsemi Corporation
2N6766T1
Microsemi Corporation
2N6768
Microsemi Corporation
2N6768T1
Microsemi Corporation
2N6770
Microsemi Corporation
2N6770T1
Microsemi Corporation
2N6782U
Microsemi Corporation
2N6784U
Microsemi Corporation
2N6788U
Microsemi Corporation
2N6790U
Microsemi Corporation
LCMXO256C-4T100I
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel