casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2SK536-MTK-TB-E
Número de pieza del fabricante | 2SK536-MTK-TB-E |
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Número de parte futuro | FT-2SK536-MTK-TB-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK536-MTK-TB-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | 125°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-CP |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK536-MTK-TB-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SK536-MTK-TB-E-FT |
2N6764T1
Microsemi Corporation
2N6766
Microsemi Corporation
2N6766T1
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
2N6784U
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2N6788U
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
5SGSMD5K2F40C2L
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