casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V424S10YG
Número de pieza del fabricante | 71V424S10YG |
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Número de parte futuro | FT-71V424S10YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V424S10YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424S10YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V424S10YG-FT |
71V416L10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel