casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416L12YG
Número de pieza del fabricante | 71V416L12YG |
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Número de parte futuro | FT-71V416L12YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416L12YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L12YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416L12YG-FT |
IDT71124S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S15TYG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S20TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71024S12TYGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V3569S6BFG
IDT, Integrated Device Technology Inc
7006L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel