casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V424S10YG8
Número de pieza del fabricante | 71V424S10YG8 |
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Número de parte futuro | FT-71V424S10YG8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V424S10YG8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424S10YG8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V424S10YG8-FT |
71V016SA20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel