casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V424L10YG
Número de pieza del fabricante | 71V424L10YG |
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Número de parte futuro | FT-71V424L10YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V424L10YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424L10YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V424L10YG-FT |
71V416L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel