casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V424L10YG
Número de pieza del fabricante | 71V424L10YG |
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Número de parte futuro | FT-71V424L10YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V424L10YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 10ns |
Tiempo de acceso | 10ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 36-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424L10YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V424L10YG-FT |
71V416L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel