casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 71V416S12YGI
Número de pieza del fabricante | 71V416S12YGI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-71V416S12YGI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71V416S12YGI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 12ns |
Tiempo de acceso | 12ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S12YGI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 71V416S12YGI-FT |
71V416L12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S10BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel