casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164S20YG
Número de pieza del fabricante | 7164S20YG |
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Número de parte futuro | FT-7164S20YG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S20YG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S20YG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164S20YG-FT |
IDT71V416YS12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel