casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164S20YG8
Número de pieza del fabricante | 7164S20YG8 |
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Número de parte futuro | FT-7164S20YG8 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164S20YG8 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 20ns |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164S20YG8 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164S20YG8-FT |
IDT71V416YS12YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS12YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416YS15YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel