casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 7164L35TDB
Número de pieza del fabricante | 7164L35TDB |
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Número de parte futuro | FT-7164L35TDB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
7164L35TDB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 35ns |
Tiempo de acceso | 35ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-CDIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L35TDB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 7164L35TDB-FT |
VPM9U1272S6B3PJ1MAE
Viking Technology
VPM9U1272S6B3PJ1MAM
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7026L25G
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S71VS064RB0AHT4L3
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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