casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / VPM9U1272S6B3PJ1MAT
Número de pieza del fabricante | VPM9U1272S6B3PJ1MAT |
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Número de parte futuro | FT-VPM9U1272S6B3PJ1MAT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VPM9U1272S6B3PJ1MAT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR4 |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frecuencia de reloj | 1.2GHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.2V |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VPM9U1272S6B3PJ1MAT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VPM9U1272S6B3PJ1MAT-FT |
BR93G46FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
LE25S161PCTXG
ON Semiconductor
LE25W48AMC-AH
ON Semiconductor
MT29F4G08ABAEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR
Micron Technology Inc.
S99FL132KMM41
Cypress Semiconductor Corp
S79FL512SDSMFVG03
Cypress Semiconductor Corp
DS28E10P+
Maxim Integrated
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel