casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / DS28E10P+
Número de pieza del fabricante | DS28E10P+ |
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Número de parte futuro | FT-DS28E10P+ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E10P+ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EPROM |
Tecnología | EPROM - OTP |
Tamaño de la memoria | 224b (28 x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | 1-Wire® |
Suministro de voltaje | 2.8V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E10P+ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DS28E10P+-FT |
AS7C31025B-12TJCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025B-12TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C31025B-12TJIN
Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
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Alliance Memory, Inc.
AS7C31025B-20TJCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12TJIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C1024B-12TJINTR
Alliance Memory, Inc.
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
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Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
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Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel