casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY14B116N-BA25XIT
Número de pieza del fabricante | CY14B116N-BA25XIT |
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Número de parte futuro | FT-CY14B116N-BA25XIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY14B116N-BA25XIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 60-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 60-FBGA (10x18) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY14B116N-BA25XIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY14B116N-BA25XIT-FT |
MT48LC16M16A2B4-6A AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC16M8A2BB-6A AAT:L TR
Micron Technology Inc.
S99FL132KMM41
Cypress Semiconductor Corp
S79FL512SDSMFVG03
Cypress Semiconductor Corp
DS28E10P+
Maxim Integrated
S71NS512RD0ZHEUL0
Cypress Semiconductor Corp
MT29C4G48MAYBBAMR-48 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel