casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 6A10GHB0G
Número de pieza del fabricante | 6A10GHB0G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-6A10GHB0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
6A10GHB0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 6A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | R6, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-6 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
6A10GHB0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 6A10GHB0G-FT |
1N3646
Semtech Corporation
1N3735
Powerex Inc.
1N3735R
Powerex Inc.
1N3736
Powerex Inc.
1N3736R
Powerex Inc.
1N3737
Powerex Inc.
1N3737R
Powerex Inc.
1N3738
Powerex Inc.
1N3738R
Powerex Inc.
1N3739
Powerex Inc.
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel