Número de pieza del fabricante | 1N3646 |
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Número de parte futuro | FT-1N3646 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3646 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2500V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 600mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 5V @ 250mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 2500V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3646 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3646-FT |
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40200PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4040PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4045PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4050PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4060PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4080PTE3/TU
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel