Número de pieza del fabricante | 1N3646 |
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Número de parte futuro | FT-1N3646 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3646 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2500V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 600mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 5V @ 250mA |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2.5µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 2500V |
Capacitancia a Vr, F | 8pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3646 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N3646-FT |
MBR30100FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR30150FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40150PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR40200PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4040PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4045PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4050PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4060PTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR4080PTE3/TU
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel