casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / 2SC563200L
Número de pieza del fabricante | 2SC563200L |
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Número de parte futuro | FT-2SC563200L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC563200L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 8V |
Frecuencia - Transición | 1.1GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | - |
Potencia - max | 150mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2mA, 4V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMini3-G1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC563200L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2SC563200L-FT |
NE85630-A
CEL
NE85630-R24-A
CEL
NE85630-R25-A
CEL
NE85630-T1
CEL
NE85630-T1-A
CEL
NE85630-T1-R24-A
CEL
NE85630-T1-R25-A
CEL
NE94430-T1-A
CEL
SRF4427
Microsemi Corporation
MRF4427
Microsemi Corporation
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC2VP40-7FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
EP4CE6F17C7
Intel
5SGXEA7K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H1F35C1N
Intel
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F45I2SG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel