casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85630-R25-A
Número de pieza del fabricante | NE85630-R25-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85630-R25-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85630-R25-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 4.5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Ganancia | 9dB |
Potencia - max | 150mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 7mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85630-R25-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85630-R25-A-FT |
AT-41533-TR1G
Broadcom Limited
AT-41533-TR2G
Broadcom Limited
BF 770A E6327
Infineon Technologies
BF 775 E6327
Infineon Technologies
BF799E6327HTSA1
Infineon Technologies
BFR 181 E6780
Infineon Technologies
BFR 182 B6663
Infineon Technologies
BFS 17P E6433
Infineon Technologies
BFT92E6327
Infineon Technologies
KSC2755OMTF
ON Semiconductor
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
AFS600-1FGG484
Microsemi Corporation
APA600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2SG
Intel
XC6VSX315T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PL84I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel