casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / NE85630-T1-A
Número de pieza del fabricante | NE85630-T1-A |
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Número de parte futuro | FT-NE85630-T1-A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NE85630-T1-A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 4.5GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
Ganancia | 9dB |
Potencia - max | 150mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 7mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85630-T1-A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | NE85630-T1-A-FT |
BF 770A E6327
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BF 775 E6327
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KSC2755OMTF
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KSC2756OMTF
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XC2S150-5FG256C
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EP20K400CF672C9
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5AGXBA1D6F27C6N
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XC6VHX380T-3FFG1154C
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XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H3F35I4N
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