casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N6661JTXL02
Número de pieza del fabricante | 2N6661JTXL02 |
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Número de parte futuro | FT-2N6661JTXL02 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6661JTXL02 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 90V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 860mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6661JTXL02 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N6661JTXL02-FT |
SUM110N04-03P-E3
Vishay Siliconix
SUM110N04-04-E3
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SUM52N20-39P-E3
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SQM110P06-8M9L_GE3
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XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel