casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / 2N6661JTXL02
Número de pieza del fabricante | 2N6661JTXL02 |
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Número de parte futuro | FT-2N6661JTXL02 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6661JTXL02 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 90V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 860mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-39 |
Paquete / Caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6661JTXL02 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 2N6661JTXL02-FT |
SUM110N04-03P-E3
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SUM110N04-04-E3
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XC3S400-5FTG256C
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XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation