casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 25LC010AT-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 25LC010AT-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-25LC010AT-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC010AT-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC010AT-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 25LC010AT-E/MNY-FT |
24AA256T-E/MNY
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24AA256T-I/MNY
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5CGXFC5F6M11I7N
Intel
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XC7VX485T-3FFG1761E
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XC7VX690T-2FF1927I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
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XA6SLX25-3CSG324Q
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