casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 25LC160DT-I/MNY
Número de pieza del fabricante | 25LC160DT-I/MNY |
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Número de parte futuro | FT-25LC160DT-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
25LC160DT-I/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frecuencia de reloj | 10MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
25LC160DT-I/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 25LC160DT-I/MNY-FT |
M24C04-DRMF3TG/K
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24AA128T-I/MNY
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24LC32AT-E/MNY
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LCMXO2-640UHC-4TG144C
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A3P060-TQG144I
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LCMXO2280E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FG484I
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5SGXMA7N3F40C3
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5SGSED6K2F40I2LN
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LFXP2-30E-6FN484C
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EP3SE110F780I3
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