casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / 34LC02T-E/MNY
Número de pieza del fabricante | 34LC02T-E/MNY |
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Número de parte futuro | FT-34LC02T-E/MNY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
34LC02T-E/MNY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | EEPROM |
Tecnología | EEPROM |
Tamaño de la memoria | 2Kb (256 x 8) |
Frecuencia de reloj | 1MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 5ms |
Tiempo de acceso | 400ns |
interfaz de memoria | I²C |
Suministro de voltaje | 2.2V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TDFN (2x3) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
34LC02T-E/MNY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 34LC02T-E/MNY-FT |
24AA128T-I/MNY
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24LC32AT-E/MNY
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Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
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EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
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