casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5620US
Número de pieza del fabricante | 1N5620US |
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Número de parte futuro | FT-1N5620US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5620US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 3A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 200°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5620US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5620US-FT |
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
JAN1N5415
Microsemi Corporation
JAN1N5415US
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel