casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1N5615US
Número de pieza del fabricante | 1N5615US |
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Número de parte futuro | FT-1N5615US |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5615US Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.6V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 45pF @ 12V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SQ-MELF, A |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-5A |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5615US Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N5615US-FT |
GP2D036A060B
Global Power Technologies Group
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
JAN1N4944
Microsemi Corporation
JAN1N5187
Microsemi Corporation
JAN1N5188
Microsemi Corporation
JAN1N5190
Microsemi Corporation
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
AT6005ALV-4AC
Microchip Technology
XC3S1000-5FGG320C
Xilinx Inc.
XCV200-4FG456I
Xilinx Inc.
AT40K10LV-3CQI
Microchip Technology
EP20K200CF672C8
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel