Número de pieza del fabricante | 1N4257 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N4257 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N4257 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | - |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4257 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N4257-FT |
GP2D005A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A060B
Global Power Technologies Group
GP2D015A120A
Global Power Technologies Group
GP2D024A060B
Global Power Technologies Group
GP2D036A060B
Global Power Technologies Group
GSXD300A170S2D5
Global Power Technologies Group
HS1D-13
Diodes Incorporated
JAN1N3595A-1
Microsemi Corporation
JAN1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JAN1N3646
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel