casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / GP2D015A120A
Número de pieza del fabricante | GP2D015A120A |
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Número de parte futuro | FT-GP2D015A120A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Amp+™ |
GP2D015A120A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 50A (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 15A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 30µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 952pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D015A120A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP2D015A120A-FT |
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel