Número de pieza del fabricante | 1N1185 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-1N1185 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1185 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | - |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Velocidad | - |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1185 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1N1185-FT |
HSM580GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM590G/TR13
Microsemi Corporation
HSM590GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM8100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM8100GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM825G/TR13
Microsemi Corporation
HSM825GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM830G/TR13
Microsemi Corporation
HSM830GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM835G/TR13
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel