casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HSM835G/TR13
Número de pieza del fabricante | HSM835G/TR13 |
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Número de parte futuro | FT-HSM835G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSM835G/TR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM835G/TR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSM835G/TR13-FT |
RB520G-30 RLG
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RB751V-40 RRG
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STPS30S45CW
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BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
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CMG02(TE12L,Q,M)
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CMG03(TE12L,Q,M)
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CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH02A(TE12L,Q,M)
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CMH04(TE12L,Q,M)
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A54SX32A-1TQG144I
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AT40K20LV-3BQI
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M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
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10M04SCE144C8G
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5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.