casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HSM835G/TR13
Número de pieza del fabricante | HSM835G/TR13 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HSM835G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSM835G/TR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 35V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 35V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM835G/TR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSM835G/TR13-FT |
RB520G-30 RLG
Taiwan Semiconductor Corporation
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel