casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HSM825GE3/TR13
Número de pieza del fabricante | HSM825GE3/TR13 |
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Número de parte futuro | FT-HSM825GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSM825GE3/TR13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 25V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250µA @ 25V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-215AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM825GE3/TR13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HSM825GE3/TR13-FT |
BAS20W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
BAS21W RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
IDP1301GXUMA1
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RB520G-30 RLG
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RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
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BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
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CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3042A-7PQ100C
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M2GL050-FCSG325
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M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
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10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
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EP2AGX95EF35C6ES
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