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Diodes Incorporated ZXMP3F35N8TA

Name: ZXMP3F35N8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMP3F35N8TA
Availability: InStock
Rating: 4.8 (487 reviews)

Número de pieza de MFG: ZXMP3F35N8TA

Cantidad disponible: 81300 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: ZXMP3F35N8TA.pdf

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ZXMP3F35N8TA Presupuesto

Número de pieza del fabricante	ZXMP3F35N8TA
Número de parte futuro	FT-ZXMP3F35N8TA
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
ZXMP3F35N8TA Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	9.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	77.1nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	4600pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.56W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMP3F35N8TA Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	ZXMP3F35N8TA-FT

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