casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / ZXMN6A11DN8TC
Número de pieza del fabricante | ZXMN6A11DN8TC |
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Número de parte futuro | FT-ZXMN6A11DN8TC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMN6A11DN8TC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 330pF @ 40V |
Potencia - max | 1.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN6A11DN8TC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZXMN6A11DN8TC-FT |
ZXMN6A11DN8TA
Diodes Incorporated
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Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
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5SGXEA7K2F35C2N
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XC6VLX550T-2FFG1759C
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10AX057K4F35E3LG
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10AX016E3F27I1HG
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