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ZXMN6A11DN8TA Image

Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TA

Número de pieza de MFG
ZXMN6A11DN8TA
Cantidad disponible
42280 Piezas
Precio de referencia
USD 0.432
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Fecha de envío
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN6A11DN8TA Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 330pF @ 40V
Potencia - max 1.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A11DN8TA Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ZXMN6A11DN8TA-FT

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