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ZXMN10A08E6TC Image

Diodes Incorporated ZXMN10A08E6TC

Número de pieza de MFG
ZXMN10A08E6TC
Cantidad disponible
50520 Piezas
Precio de referencia
USD 0.217768
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Fecha de envío
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ZXMN10A08E6TC Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 405pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-26
Paquete / Caja SOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A08E6TC Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ZXMN10A08E6TC-FT

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