casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDS8870_G
Número de pieza del fabricante | FDS8870_G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDS8870_G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDS8870_G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 18A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 112nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4615pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDS8870_G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDS8870_G-FT |
FDS6612A
ON Semiconductor
FDS6675
ON Semiconductor
FDS6690A
ON Semiconductor
FDS8842NZ
ON Semiconductor
FDS8884
ON Semiconductor
FDFS2P106A
ON Semiconductor
FDS3572
ON Semiconductor
FDS4675
ON Semiconductor
FDS5680
ON Semiconductor
FDS5690
ON Semiconductor
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel