casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVN4306GVTA
Número de pieza del fabricante | ZVN4306GVTA |
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Número de parte futuro | FT-ZVN4306GVTA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN4306GVTA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-223 |
Paquete / Caja | TO-261-4, TO-261AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4306GVTA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVN4306GVTA-FT |
DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
DMN4008LFG-13
Diodes Incorporated
DMN4010LFG-13
Diodes Incorporated
DMN4010LFG-7
Diodes Incorporated
DMN6013LFG-13
Diodes Incorporated
DMN6013LFG-7
Diodes Incorporated
DMN6069SFG-13
Diodes Incorporated
DMN6069SFG-7
Diodes Incorporated
DMN7022LFG-13
Diodes Incorporated
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation