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Diodes Incorporated DMN6013LFG-13

Número de pieza de MFG
DMN6013LFG-13
Cantidad disponible
97250 Piezas
Precio de referencia
USD 0.275712
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMN6013LFG-13
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN6013LFG-13 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 55.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2577pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI3333-8
Paquete / Caja 8-PowerWDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN6013LFG-13 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMN6013LFG-13-FT

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