casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVN4306AVSTOB
Número de pieza del fabricante | ZVN4306AVSTOB |
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Número de parte futuro | FT-ZVN4306AVSTOB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN4306AVSTOB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 850mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquete / Caja | E-Line-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4306AVSTOB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVN4306AVSTOB-FT |
TN2540N3-G-P002
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TP2104N3-G-P003
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
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LCMXO640E-3MN100C
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EP1S20F780C7
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