casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / VN10KN3-G-P014
Número de pieza del fabricante | VN10KN3-G-P014 |
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Número de parte futuro | FT-VN10KN3-G-P014 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN10KN3-G-P014 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 310mA (Tj) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN10KN3-G-P014 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VN10KN3-G-P014-FT |
ZVP2110A
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3310A
Diodes Incorporated
ZVN4206AV
Diodes Incorporated
VN2222LL-G
Microchip Technology
VP2106N3-G
Microchip Technology
2N7000-G
Microchip Technology
ZVN4210A
Diodes Incorporated
ZVN4306AV
Diodes Incorporated
ZVP3310A
Diodes Incorporated
A54SX32-1TQ144M
Microsemi Corporation
LFXP3E-3T100I
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A3P400-2FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32I
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LFE5UM-85F-7BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2C15AF484C8N
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5SGXEB6R3F40I3L
Intel
XC4036XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-L1CSG324C
Xilinx Inc.