casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVN4306AV
Número de pieza del fabricante | ZVN4306AV |
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Número de parte futuro | FT-ZVN4306AV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN4306AV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 350pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 850mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4306AV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVN4306AV-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
Diodes Incorporated
CPH6354-TL-W
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Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
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IRF5802TRPBF
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IRF5803TRPBF
Infineon Technologies
SQ3425EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated
LCMXO256C-4T100I
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A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel