casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ZVN1409ASTOA
Número de pieza del fabricante | ZVN1409ASTOA |
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Número de parte futuro | FT-ZVN1409ASTOA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN1409ASTOA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 90V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 5mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6.5pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 625mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquete / Caja | E-Line-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN1409ASTOA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ZVN1409ASTOA-FT |
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