casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / XBS013S15R-G
Número de pieza del fabricante | XBS013S15R-G |
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Número de parte futuro | FT-XBS013S15R-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XBS013S15R-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacitancia a Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-523 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS013S15R-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | XBS013S15R-G-FT |
RGP20JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation