casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / XBS013S15R-G
Número de pieza del fabricante | XBS013S15R-G |
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Número de parte futuro | FT-XBS013S15R-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XBS013S15R-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacitancia a Vr, F | 6pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-523 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS013S15R-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | XBS013S15R-G-FT |
RGP20JHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP20JHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15G-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SUF15J-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel