casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / 1SS427,L3M
Número de pieza del fabricante | 1SS427,L3M |
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Número de parte futuro | FT-1SS427,L3M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1SS427,L3M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.6ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 0.3pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-923 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-923 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS427,L3M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | 1SS427,L3M-FT |
GL41Y-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41Y-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41KHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41KHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41MHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel