casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU8AB-11
Número de pieza del fabricante | W632GU8AB-11 |
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Número de parte futuro | FT-W632GU8AB-11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU8AB-11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8AB-11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU8AB-11-FT |
W25Q64CVSSJP
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJP TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP TR
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA1
Winbond Electronics
W25Q64FVSCA2
Winbond Electronics
W25Q64FVSCB1
Winbond Electronics
W25Q64FVSH01
Winbond Electronics
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel