casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W632GU8AB-11
Número de pieza del fabricante | W632GU8AB-11 |
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Número de parte futuro | FT-W632GU8AB-11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W632GU8AB-11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.283V ~ 1.45V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo de montaje | - |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8AB-11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W632GU8AB-11-FT |
W25Q64CVSSJP
Winbond Electronics
W25Q64CVSSJP TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJG TR
Winbond Electronics
W25Q64CVZPJP
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W25Q64CVZPJP TR
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W25Q64FVSCA1
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W25Q64FVSCA2
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W25Q64FVSCB1
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W25Q64FVSH01
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M1AFS600-2FG484
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AGL060V5-VQG100I
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