casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W631GG6KB-11
Número de pieza del fabricante | W631GG6KB-11 |
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Número de parte futuro | FT-W631GG6KB-11 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
W631GG6KB-11 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | DRAM |
Tecnología | SDRAM - DDR3 |
Tamaño de la memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frecuencia de reloj | 933MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 20ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.425V ~ 1.575V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 96-TFBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 96-WBGA (9x13) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W631GG6KB-11 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W631GG6KB-11-FT |
AT45DB041E-MHN2B-T
Adesto Technologies
AT45DB081E-MHN-T
Adesto Technologies
AT45DB081E-MHN2B-T
Adesto Technologies
AT45DB161E-MHF-T
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AT45DB161E-MHF2B-T
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AT45DB321E-MHF-T
Adesto Technologies
AT45DB321E-MHF2B-T
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AT45DB641E-MHN-T
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AT45DQ321-MHF-T
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LCMXO2280E-3TN144C
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10M08SAU169I7G
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XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
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LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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