casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / AT45DB041E-MHN2B-T
Número de pieza del fabricante | AT45DB041E-MHN2B-T |
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Número de parte futuro | FT-AT45DB041E-MHN2B-T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT45DB041E-MHN2B-T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH |
Tamaño de la memoria | 4Mb (256 Bytes x 2048 pages) |
Frecuencia de reloj | 85MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8µs, 3ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 3V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-UDFN (5x6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT45DB041E-MHN2B-T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | AT45DB041E-MHN2B-T-FT |
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LFEC3E-3T100I
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XC2S200-6PQG208C
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel