casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / W25Q40BWSNIG TR
Número de pieza del fabricante | W25Q40BWSNIG TR |
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Número de parte futuro | FT-W25Q40BWSNIG TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SpiFlash® |
W25Q40BWSNIG TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frecuencia de reloj | 80MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 800µs |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 1.95V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W25Q40BWSNIG TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | W25Q40BWSNIG TR-FT |
N25Q064A11ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESECFE
Micron Technology Inc.
N25Q064A11ESECFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEC0G
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel