casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / N25Q064A11ESEA0F TR
Número de pieza del fabricante | N25Q064A11ESEA0F TR |
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Número de parte futuro | FT-N25Q064A11ESEA0F TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
N25Q064A11ESEA0F TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 64Mb (16M x 4) |
Frecuencia de reloj | 108MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 8ms, 5ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q064A11ESEA0F TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | N25Q064A11ESEA0F TR-FT |
M25P80-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6G
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TG TR
Micron Technology Inc.
M25P80-VMW6TGBA TR
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25P80S-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6P
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6TP TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VMN6TPBA TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel