casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / VUB160-12NO2
Número de pieza del fabricante | VUB160-12NO2 |
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Número de parte futuro | FT-VUB160-12NO2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VUB160-12NO2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Three Phase (Braking) |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1.2kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 188A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.7V @ 30A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | V2-PAK |
Paquete del dispositivo del proveedor | V2-PAK |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUB160-12NO2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VUB160-12NO2-FT |
MSDM150-08
Microsemi Corporation
MSDM150-12
Microsemi Corporation
MSDM150-16
Microsemi Corporation
MSDM150-18
Microsemi Corporation
MSDM200-08
Microsemi Corporation
MSDM200-12
Microsemi Corporation
MSDM200-18
Microsemi Corporation
MSDM50-08
Microsemi Corporation
MSDM50-12
Microsemi Corporation
MSDM50-16
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240
Microsemi Corporation
A1020B-2PLG68I
Microsemi Corporation
EP2S60F672I4N
Intel
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I3G
Intel